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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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